IPW65R660CFD datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  IPW65R660CFD
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies IPW65R660CFD RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: 30 V Continuous Drain Current: 6 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.66 Ohms Configuration: Single Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-247 Fall Time: 10 ns Gate Charge Qg: 22 nC Power Dissipation: 63 W Rise Time: 8 ns Part # Aliases: IPW65R660CFDFKSA1 IPW65R660CFDXK SP000861700 Other Names: IPW65R660CFDXK
• Количество страниц
  21 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  3,47 MB

IPW65R660CFD datasheet скачать

IPW65R660CFD datasheet